女  微电子器件专家。北京大学教授。1969年11月生于江苏省南京市，籍贯福建南安。1991年毕业于东南大学电子工程系，1994年获该校硕士学位，1997年于北京大学获博士学位。

主要从事微电子低功耗器件及工艺研究。提出并研制出面向低功耗高可靠电路应用的准SOI新结构器件和面向超低功耗电路应用的肖特基-隧穿混合控制新机理器件。发展了适于十纳米以下集成电路的围栅纳米线器件理论及技术，系统揭示了器件关键特性的新变化及其物理根源，提出了可大规模集成的新工艺方法，成功研制出低功耗围栅纳米线器件及模块电路。发现了纳米尺度器件中涨落性和可靠性耦合的新现象及其对电路性能的影响，提出了新的涨落性/可靠性分析表征方法及模型。曾获国家技术发明二等奖、国家科技进步二等奖、教育部自然科学一等奖、北京市科学技术一等奖（2次）、中国青年科技奖等。

黄如已合作出版著作5本，发表学术论文250余篇，在微电子器件领域标志性国际会议IEDM、VLSI和标志性期刊EDL、TED上发表70余篇论文（自2007年以来连续12年在IEDM上发表论文32篇），多项研究成果连续被列入四个版本的国际半导体技术发展路线图ITRS

2015年当选中国科学院院士。